Samsung официально объявила о старте массового производства и коммерческих поставок памяти типа HBM4. Эта компания первой довела технологию до стадии реального продукта. Новинка выделяется использованием современных 4-нм техпроцессов для логического слоя и 10-нм DRAM чипов шестого поколения (1c), что позволило достичь рекордных показателей без необходимости пересматривать архитектуру. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, а максимальная может составлять до 13 Гбит/с. Пропускная способность нового решения составляет 3,3 ТБ/с на стек, что на 2,7 раза превосходит HBM3E. Эти характеристики важны для оптимизации обучения больших языковых моделей ИИ. При этом удалось увеличить число контактов ввода-вывода до 2048 и улучшить энергоэффективность на 40%. В настоящее время Samsung предлагает модули объемом 24 и 36 ГБ, а ожидаемый выпуск 48 ГБ 16-слойных решений запланирован на будущее. Компания прогнозирует, что спрос на HBM вырастет более чем в три раза к 2026 году. В дополнение к HBM4, тестирование усовершенствованной версии HBM4E начнется во второй половине 2026 года, а запуск чипов, соответствующих требованиям клиентов, намечен на 2027 год.